2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 58 mΩ, 4 A 20 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

550,00 €

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Codice RS:
165-2751
Codice costruttore:
SI9933CDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.55mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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