2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 58 mΩ, 4 A 20 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3395
Codice costruttore:
SI9933CDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Minima temperatura operativa

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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