2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo P, 58 mΩ, 4 A 20 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3395
Codice costruttore:
SI9933CDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-50°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-12V, +12V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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