MOSFET Vishay, canale P, 58 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 710-3395
Codice costruttore:: SI9933CDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 58 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 710-3395
Codice costruttore:: SI9933CDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4A
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	58 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	2000 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	17 nC a 10 V, 8 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	2
Altezza	1.55mm
Minima temperatura operativa	-50 °C

MOSFET Vishay, canale P, 58 mΩ, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor

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