MOSFET Vishay, canale N, 58 mΩ, 4,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-3003
Codice costruttore:: SI4900DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 58 mΩ, 4,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 165-3003
Codice costruttore:: SI4900DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A N
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,3 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	58 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4mm
Numero di elementi per chip	2
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.55mm

MOSFET Vishay, canale N, 58 mΩ, 4,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor

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