MOSFET Vishay, canale N, 8,5 mΩ, 58 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6980
Codice costruttore:: SIRA14DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 8,5 mΩ, 58 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,172 €	516,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6980
Codice costruttore:: SIRA14DP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiRA14DP, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	58 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	8,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.1V
Dissipazione di potenza massima	31,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.25mm
Larghezza	5.26mm
Carica gate tipica @ Vgs	19,4 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.12mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 8,5 mΩ, 58 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

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