MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0032 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

10,18 €

(IVA esclusa)

12,42 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 +1,018 €10,18 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3198
Codice costruttore:
SI4164DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4164DY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26.5nC

Tensione diretta Vf

0.72V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Standard/Approvazioni

JEDEC JS709A, RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati