MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale N 30 V, 0.0032 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4164DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3198
Codice costruttore:
SI4164DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si4164DY

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

720mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Standard/Approvazioni

JEDEC JS709A, RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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