MOSFET Vishay, canale N, 2 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9058
Codice costruttore:: 2N7002K-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 2 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 787-9058
Codice costruttore:: 2N7002K-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

2N7002K, N-Channel MOSFET 60V 300mA Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	350 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,4 nC a 4,5 V
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 2 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

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