MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 21 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4236
Codice costruttore:: SI7454DDP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 21 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,612 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,612 €	1.836,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4236
Codice costruttore:: SI7454DDP-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	21 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	47 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	29,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	5.26mm
Carica gate tipica @ Vgs	12,8 nC a 10 V
Lunghezza	6.25mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.12mm

MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 21 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

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