MOSFET Vishay, canale N 40 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 81.2 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiRA74DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5009
Codice costruttore:
SiRA74DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

81.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SiRA74DP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

46.2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 40 V (D-S) e 150 °C è dotato di contenitore tipo SO-8 PowerPAK.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Sintonizzati per la minima RDS-Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Il rapporto QGD/QGS < 1 ottimizza le caratteristiche di commutazione

Ottimizzato per la saldatura a onda

I cavi flessibili aumentano la resilienza alla flessione della scheda

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