MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 81.2 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiRA74DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5009
Codice costruttore:
SiRA74DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

81.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiRA74DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

46.2W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.26 mm

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 40 V (D-S) e 150 °C è dotato di contenitore tipo SO-8 PowerPAK.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Sintonizzati per la minima RDS-Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Il rapporto QGD/QGS < 1 ottimizza le caratteristiche di commutazione

Ottimizzato per la saldatura a onda

I cavi flessibili aumentano la resilienza alla flessione della scheda

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