MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 3.99 mΩ Miglioramento, 81.2 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SIJA74DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2892
Codice costruttore:
SIJA74DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

81.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

46.2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 40 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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