MOSFET Vishay, canale N 30 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRA06DP-T1-GE3

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Codice RS:
165-7074
Codice costruttore:
SIRA06DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-16V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione diretta Vf

0.73V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.26mm

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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