MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 10 mΩ Miglioramento, 18.7 A, 8 Pin, SO-8, Superficie Si4090BDY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2821
Codice costruttore:
Si4090BDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

7.4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.75mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale N TrenchFET Vishay è utilizzato per l'interruttore lato primario c.c./c.c., telecomunicazioni/server, controllo dell'azionamento per motori e rettifica sincrona.

Testato al 100% Rg e UIS

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