MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 10.5 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR870ADP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9355
Codice costruttore:
SIR870ADP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiR870ADP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26 mm

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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