MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.012 Ω Miglioramento, 19 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4840BDY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-4736
Codice costruttore:
SI4840BDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.012Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)

Altezza

1.55mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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