MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 710-4736
Codice costruttore:: SI4840BDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 710-4736
Codice costruttore:: SI4840BDY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1560 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	18,5 nC a 5 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.55mm

MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor

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