MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.012 Ω Miglioramento, 19 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

975,00 €

(IVA esclusa)

1200,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 2500 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,39 €975,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-2752
Codice costruttore:
SI4840BDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.012Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)

Larghezza

4 mm

Altezza

1.55mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor