MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.0025 Ω Miglioramento, 241 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8S, Superficie SiRS5100DP

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Codice RS:
735-162
Codice costruttore:
SiRS5100DP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

241A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiR

Tipo di package

PowerPAK SO-8S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0025Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

100V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

68nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6mm

Altezza

2mm

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

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