MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.00057 Ω Miglioramento, 478 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRS4302DP-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 2 unità, in una confezione da 2*

7,81 €

(IVA esclusa)

9,53 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5990 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 483,905 €7,81 €
50 - 983,595 €7,19 €
100 - 2483,18 €6,36 €
250 - 9983,13 €6,26 €
1000 +3,07 €6,14 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9963
Codice costruttore:
SIRS4302DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

478A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

SIRS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00057Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

230nC

Dissipazione di potenza massima Pd

208W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SIRS di Vishay, dissipazione di potenza massima di 208 W, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V - SIRS4302DP-T1-GE3


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per ambienti di commutazione di potenza impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un pacchetto compatto SO-8 a montaggio superficiale adatto per l'integrazione in gruppi di alimentazione densamente popolati. Conforme alla direttiva RoHS, il componente è destinato ad applicazioni di livello industriale in cui sono richieste resistenza termica e una notevole gestione della corrente continua.

Caratteristiche e vantaggi:


• Resistenza in stato attivo molto bassa di 0,00057 Ω per perdite di conduzione minime
• Elevata corrente di drenaggio continua di 478 A che consente la commutazione per carichi pesanti
• Tensione nominale drain-source 30 V per fasi di potenza a bassa tensione
• Capacità di dissipazione di potenza di 208 W per supportare il funzionamento ad alta potenza
• Carica gate di 230 nC per un comportamento di commutazione prevedibile
• Tolleranza gate-source 20 V per adattarsi a tensioni di azionamento robuste

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente nei rack server
• Ideale per le disposizioni MOSFET parallele nei moduli di potenza
• Utilizzato con la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono un'elevata corrente di picco
• Adatto per regolatori di commutazione industriali che operano in un ampio intervallo di temperatura

Come si comporta a temperature ambientali estreme?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, supportando applicazioni esposte a condizioni termiche estreme.

Quale metodo di montaggio è consigliato per la gestione termica?


Il posizionamento a montaggio superficiale su un circuito stampato con un'area in rame appropriata o vie termiche è necessario per dissipare fino a 208 W in modo sicuro.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione rapida?


Si prevede una carica gate tipica di 230 nC

i driver devono fornire un'adeguata corrente di picco per ottenere i tempi di salita e discesa desiderati senza un'eccessiva dissipazione.

Il dispositivo è adatto ai programmi di qualificazione automobilistica?


Il componente non è classificato come di tipo automobilistico

l'idoneità per i programmi del veicolo deve essere valutata in base a requisiti di qualificazione specifici.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.