MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00057 Ω Miglioramento, 478 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRS4302DP-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

6,58 €

(IVA esclusa)

8,02 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5990 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 483,29 €6,58 €
50 - 983,03 €6,06 €
100 - 2482,675 €5,35 €
250 - 9982,64 €5,28 €
1000 +2,585 €5,17 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9963
Codice costruttore:
SIRS4302DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

478A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

SIRS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00057Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

208W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

230nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SIRS Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 30 V, corrente di drenaggio continua massima 478 A - SIRS4302DP-T1-GE3


Questo MOSFET è un dispositivo a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione di potenza ad alta corrente nell'elettronica industriale. Funziona come transistor in modalità di potenziamento per la conduzione controllata nelle fasi di potenza c. c. e nelle topologie dei convertitori, offrendo una tolleranza di temperatura elevata per le condizioni di funzionamento più difficili.

Caratteristiche e vantaggi:


• Corrente di drenaggio continua 478 A per applicazioni ad alto carico • Basso valore Rds(on) di 0,00057 Ω per ridurre al minimo le perdite di conduzione • Valore nominale drain-source di 30 V per sistemi di alimentazione a bassa tensione • Carica gate tipica 230 nC per un comportamento di commutazione prevedibile • Dissipazione di potenza 208 W per gestire carichi termici sostanziali • temperatura di giunzione massima di 150 °C per l'uso a temperatura elevata

Applicazioni


• Adatto per convertitori c. c. - c. c. nelle unità di distribuzione dell'alimentazione • Ideale per le fasi di azionamento del motore nell'automazione industriale • Utilizzato per la rettifica sincrona ad alta corrente nei progetti di PSU • Adatto per la commutazione dell'alimentazione nei sistemi di gestione delle batterie • Può essere utilizzato per la commutazione del carico in server e rack di alimentazione per telecomunicazioni

Quale stile di montaggio richiede e quanti pin sono presenti?


È fornito in un contenitore SO-8 a montaggio superficiale con una configurazione a 8 pin per l'assemblaggio su circuito stampato.

In quale intervallo di temperatura ambiente può funzionare in modo affidabile?


Il dispositivo supporta il funzionamento da -55 °C fino alla temperatura di giunzione massima specificata di 150 °C.

Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?


La tensione della sorgente gate non deve superare ±20 V per evitare lo stress da ossido gate.

Questo dispositivo è conforme alle restrizioni ambientali sulle sostanze pericolose?


Il componente è conforme ai requisiti RoHS per i materiali soggetti a restrizioni.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.