MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00040 Ω Miglioramento, 680 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

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Codice RS:
653-096
Codice costruttore:
SIRS4300DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

680A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SIRS4300DP

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00040Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

84nC

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.10mm

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5.10mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET singoli serie SIRS4300DP Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 30 V, corrente di drenaggio continua massima 680 A - SIRS4300DP-T1-RE3


Questo dispositivo MOSFET singolo è un semiconduttore di potenziamento a canale N progettato per ruoli di commutazione ad alta corrente e conversione di potenza nell'elettronica industriale. È fornito in un contenitore PowerPAK a 8 pin per montaggio superficiale ed è adatto per ambienti termici ed elettrici impegnativi in cui è richiesta una commutazione compatta e a bassa perdita.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drain di 30 V consente progetti a fase di potenza a bassa tensione • La corrente di drenaggio continua 680 A supporta la commutazione di carichi pesanti • L'Rds(on) di 0,00040 Ω riduce le perdite di conduzione per una maggiore efficienza • La carica gate tipica 84 nC consente transizioni gate più veloci • La dissipazione di potenza di 278 W gestisce un'elevata portata di energia • Funziona fino a 150 °C per applicazioni a temperature elevate

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente nei sistemi di automazione • Ideale per le fasi di potenza nei controllori di azionamento del motore • Utilizzato per la rettifica sincrona nei moduli di alimentazione • Può essere utilizzato per la commutazione del carico nella distribuzione dell'alimentazione industriale • Utilizzato con array paralleli per rack di alimentazione di centri dati

Quale margine di azionamento del gate è accettabile per una commutazione affidabile?


Il dispositivo tollera tensioni di gate fino a 20 V

progettare i driver gate per funzionare entro questo limite e per ottenere la carica tipica di 84 nC per le velocità di commutazione previste.

Come deve essere affrontata la gestione termica su un circuito stampato?


Data la capacità di dissipazione di 278 W, utilizzare grandi aree di rame, vie termiche e dissipazione termica diretta al tampone esposto PowerPAK per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti.

Può essere collegato in parallelo per aumentare la capacità di corrente?


Il paralleling è fattibile a condizione che Rds(on) corrispondente e che vengano implementate misure di condivisione della corrente adeguate, insieme a un'attenta temporizzazione dell'azionamento del gate per evitare squilibri.

Quale intervallo di temperatura ambiente può tollerare durante il servizio?


Il componente è specificato per il funzionamento fino a -55 °C e fino a 150 °C per le condizioni di giunzione o contenitore come definito nella progettazione termica del sistema.

Quali considerazioni sul pacchetto influenzano la densità del layout?


Il formato a montaggio superficiale PowerPAK a 8 pin consente un posizionamento compatto ma richiede attenzione al dissipatore di calore in rame e alla larghezza della traccia per percorsi ad alta corrente.

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