MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.061 Ω Depletion, 33 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie

Codice RS:: 252-0265
Codice costruttore:: SIHK075N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.061 Ω Depletion, 33 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

6124,00 €

(IVA esclusa)

7472,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 21 gennaio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
2000 +	3,062 €	6.124,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 252-0265
Codice costruttore:: SIHK075N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PowerPAK 10 x 12
	Serie	EF
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.061Ω
	Modalità canale	Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	72nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	192W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	5.15mm
	Lunghezza	6.15mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PowerPAK 10 x 12
	Serie EF
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.061Ω
	Modalità canale Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 192W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 5.15mm
	Lunghezza 6.15mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - SIHK075N60EF-T1GE3

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 33 A - SIHK075N60EF-T1GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per ambienti di elettronica di potenza e automobilistici impegnativi. Funziona come transistor a canale N in modalità di esaurimento adatto per applicazioni ad alta tensione, offrendo un equilibrio tra capacità di corrente e resistenza termica per i sistemi di controllo industriale e elettronici dei veicoli.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 33 A supporta correnti di carico sostanziali • La bassa Rds(on) di 0,061 Ω riduce le perdite di conduzione • La dissipazione di potenza di 192 W consente una gestione della potenza elevata • La carica di gate tipica di 72 nC consente una dimensionamento prevedibile del gate drive • La tensione massima gate-source di 20 V consente di gestire intervalli di azionamento robusti

Applicazioni

• Adatto per gli inverter e le fasi di azionamento del motore nei sistemi di automazione • Ideale per convertitori CC-CC ad alta tensione nei veicoli elettrificati • Utilizzato per interruttori primari negli alimentatori per apparecchiature industriali • Può essere utilizzato per l'elettronica di potenza dei veicoli di trazione e ausiliari

A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo l'uso in ampie condizioni ambientali e termiche tipiche degli impianti automobilistici e industriali.

Quale tipo di contenitore i progettisti devono considerare sulla scheda?

Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 10x12 a 8 pin, pertanto è necessario applicare il layout del tampone termico e i profili di saldatura per questo contenitore.

Quali vincoli del gate drive devono essere osservati per una commutazione affidabile?

La tensione massima gate-sorgente è di 20 V

i driver del gate devono essere progettati per rimanere entro questo limite fornendo al contempo uno slide sufficiente per gestire la carica del gate di 72 nC.

Esistono approvazioni o standard ambientali per questo dispositivo?

È conforme ai requisiti RoHS e aderisce allo standard automobilistico AEC-Q101 per la qualifica dei componenti.