MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.061 Ω Depletion, 33 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie
- Codice RS:
- 252-0265
- Codice costruttore:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
6308,00 €
(IVA esclusa)
7696,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 16 luglio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,154 € | 6.308,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 252-0265
- Codice costruttore:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | EF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.061Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 72nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 192W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie EF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.061Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 192W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione drain source 650 V, dissipazione di potenza 192 W - SIHK075N60EF-T1GE3
Questo MOSFET di potenza è un semiconduttore a canale N ad alta tensione progettato per ambienti di commutazione e controllo della potenza impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un pacchetto a basso profilo per montaggio superficiale adatto per assemblaggi compatti. Il dispositivo è progettato per applicazioni che richiedono una notevole gestione continua della corrente e una robusta capacità di tensione in spazi ristretti.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source 650 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 33 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.061 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione massima di 192 W consente una gestione ad alta potenza
• La carica gate tipica di 72 nC fornisce un comportamento di commutazione prevedibile
• La qualifica AEC‐Q101 supporta lo stress termico di livello automobilistico
• La corrente di drenaggio continua di 33 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.061 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione massima di 192 W consente una gestione ad alta potenza
• La carica gate tipica di 72 nC fornisce un comportamento di commutazione prevedibile
• La qualifica AEC‐Q101 supporta lo stress termico di livello automobilistico
Applicazioni
• Adatto per l'elettronica di trazione e di potenza per veicoli ad alta tensione
• Ideale per topologie di commutazione a mezzo ponte e a ponte intero
• Utilizzato con driver gate isolati in inverter industriali
• Può essere utilizzato per alimentatori di commutazione fino ad alta tensione
• Adatto per le fasi di azionamento del motore nei sistemi automobilistici
• Ideale per topologie di commutazione a mezzo ponte e a ponte intero
• Utilizzato con driver gate isolati in inverter industriali
• Può essere utilizzato per alimentatori di commutazione fino ad alta tensione
• Adatto per le fasi di azionamento del motore nei sistemi automobilistici
Quale gamma termica può resistere in ambienti difficili?
È progettato per funzionare da -55 °C a +150 °C, consentendo l'uso in avviamenti a bassa temperatura e condizioni operative elevate.
Quale formato di contenitore utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?
Il dispositivo è fornito in un contenitore PowerPAK 10x12 a montaggio superficiale progettato per un trasferimento di calore efficiente e un posizionamento compatto della scheda.
In che modo il limite di tensione del gate influisce sulla progettazione dell'azionamento?
La tensione massima gate-sorgente è di 20 V, pertanto i driver gate devono essere specificati per rimanere entro questo limite per evitare la sovratensione del gate.
È adatto per assemblaggi con restrizioni RoHS?
Il componente è conforme ai requisiti RoHS, consentendo l'inclusione in gruppi che impongono l'adesione a sostanze soggette a restrizioni.
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 0.061 Ω Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.061 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIHK075N60EF-T1GE3
- MOSFET Vishay 0.061 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie SIHH070N60EF-T1GE3
- MOSFET di potenza Vishay 0.05 mΩ Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.091 Ω Depletion 4 Pin Superficie SiHH105N60EF-T1GE3
- MOSFET di potenza Vishay 0.04 Ω 8 Pin Montaggio superficiale SIHK031N60AE-T1GE3
- MOSFET di potenza Vishay 0.056 Ω Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.043 Ω Depletion 8 Pin Superficie