MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.05 mΩ Depletion, 40 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie
- Codice RS:
- 252-0263
- Codice costruttore:
- SIHK055N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
7066,00 €
(IVA esclusa)
8620,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 2000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,533 € | 7.066,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 252-0263
- Codice costruttore:
- SIHK055N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | EF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.05mΩ | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 90nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 236W | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie EF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.05mΩ | ||
Modalità canale Depletion | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 90nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 236W | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua massima 40 A - SIHK055N60EF-T1GE3
Caratteristiche e vantaggi:
Applicazioni
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione efficiente?
In che modo la gestione termica influisce sul funzionamento continuo?
Quali pratiche di montaggio e layout migliorano le prestazioni?
Quale intervallo ambientale si può prevedere per l'uso sul campo?
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 0.05 mΩ Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.091 Ω Depletion 4 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.061 Ω Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 125 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 193 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 71 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 125 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie SIHH125N60EF-T1GE3
- MOSFET Vishay 193 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie SIHH186N60EF-T1GE3
