MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.05 mΩ Depletion, 40 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie

Codice RS:: 252-0264
Codice costruttore:: SIHK055N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.05 mΩ Depletion, 40 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie

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Codice RS:: 252-0264
Codice costruttore:: SIHK055N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PowerPAK 10 x 12
	Serie	EF
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.05mΩ
	Modalità canale	Depletion
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	90nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	236W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Larghezza	5.15mm
	Lunghezza	6.15mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PowerPAK 10 x 12
	Serie EF
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.05mΩ
	Modalità canale Depletion
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 90nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 236W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Larghezza 5.15mm
	Lunghezza 6.15mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET di potenza serie EF di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio 40 A - SIHK055N60EF-T1GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e gli ambienti di controllo più impegnativi. Si tratta di un dispositivo di esaurimento a canale N a montaggio superficiale che funziona in un'ampia gamma termica ed è adatto per le applicazioni che richiedono una gestione ad alta tensione, una corrente continua consistente e un comportamento controllato dell'azionamento del gate.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source 650 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 40 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• Rds(on) di 0,05 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione a correnti elevate
• La carica di gate tipica di 90 nC consente un'energia di commutazione prevedibile
• La dissipazione di potenza massima di 236 W gestisce notevoli sollecitazioni termiche
• La tolleranza del gate di 20 V consente margini di azionamento gate robusti

Applicazioni

• Utilizzato con convertitori e inverter di potenza industriali
• Adatto per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Ideale per la conversione CC-CC in sistemi per impieghi gravosi
• Può essere utilizzato per moduli di trazione o di alimentazione automobilistica
• Utilizzato per array di interruttori ad alta potenza nei sistemi energetici

Quali estremi termici può sopportare il dispositivo durante il servizio?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione di temperatura.

Come viene montato il componente su una scheda e quale contenitore viene fornito?

Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 10x12 progettato per il montaggio su circuito stampato a bassa induttanza e un contatto termico efficiente.

Quale prontezza normativa o industriale offre per l'uso nel settore automobilistico?

Soddisfa i requisiti AEC-Q101 per la qualifica dei semiconduttori, adatto per i sistemi elettronici automobilistici.

Quale numero di pin devono aspettarsi i progettisti quando si creano impronte su circuito stampato?

Il componente presenta un layout a 8 pin, che deve essere alloggiato nel modello di messa a terra del circuito stampato per un posizionamento e un instradamento corretti.