MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.05 mΩ Depletion, 40 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0264
Codice costruttore:
SIHK055N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.05mΩ

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

90nC

Dissipazione di potenza massima Pd

236W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua massima 40 A - SIHK055N60EF-T1GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo ad alta tensione a canale N progettato per le applicazioni automobilistiche e di conversione di potenza più impegnative. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per l'implementazione a montaggio superficiale in cui sono richieste una commutazione robusta, un'elevata tolleranza alla tensione e una qualifica automobilistica.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente continua di 40 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 0,05 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento • La dissipazione di potenza di 236 W consente un elevato flusso termico • La carica di gate tipica di 90 nC riduce l'energia di commutazione per transizione • La qualifica AEC-Q101 soddisfa le esigenze di stress e affidabilità del settore automobilistico

Applicazioni


• Adatto per gli stadi degli inverter di trazione nell'elettronica automobilistica • Ideale per convertitori CC-CC ad alta tensione nell'automazione industriale • Utilizzato per alimentatori switching nei sistemi di distribuzione dell'alimentazione • Può essere utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono un'elevata capacità di corrente • Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione efficiente?


I circuiti di azionamento devono ospitare un'escursione del gate fino a ±20 V e fornire una corrente di picco sufficiente per caricare il gate da 90 nC ai Vgs scelti per la velocità di commutazione definita gestendo al contempo le perdite di commutazione.

In che modo la gestione termica influisce sul funzionamento continuo?


Per sostenere la dissipazione di 236 W, sono necessari percorsi termici come grandi piani in rame o dissipazione termica al substrato PowerPAK per mantenere le temperature di giunzione entro il limite specificato di +150 °C.

Quali pratiche di montaggio e layout migliorano le prestazioni?


Utilizzare layout a montaggio superficiale a bassa induttanza con tracce brevi e ampie per il drenaggio e la sorgente e posizionare le resistenze del gate e il disaccoppiamento vicino ai pin per ridurre l'allarme e le interferenze elettromagnetiche.

Quale intervallo ambientale si può prevedere per l'uso sul campo?


Il dispositivo è specificato per il funzionamento da -55 °C a +150 °C, supportando un'ampia gamma di condizioni di giunzione ambientali e elevate in ambienti industriali e automobilistici.

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