MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.091 Ω Depletion, 26 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SiHH105N60EF-T1GE3

Codice RS:: 239-8631
Codice costruttore:: SiHH105N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.091 Ω Depletion, 26 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SiHH105N60EF-T1GE3

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Codice RS:: 239-8631
Codice costruttore:: SiHH105N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	26A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	EF
	Tipo di package	PowerPAK 8 x 8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.091Ω
	Modalità canale	Depletion
	Dissipazione di potenza massima Pd	174W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	33nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 26A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie EF
	Tipo di package PowerPAK 8 x 8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.091Ω
	Modalità canale Depletion
	Dissipazione di potenza massima Pd 174W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - SiHH105N60EF-T1GE3

MOSFET di potenza serie EF di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 26 A - SiHH105N60EF-T1GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in ambienti industriali e automobilistici. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per i circuiti che richiedono una robusta commutazione ad alta tensione con capacità di corrente continua moderata e caratteristiche di gate drive.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 26 A supporta correnti di carico sostanziali
• La bassa Rds(on) di 0.091 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza 174 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate tipica di 33 nC consente requisiti di azionamento prevedibili
• La tensione nominale del gate di 30 V supporta schemi di gate drive comuni

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione negli alimentatori industriali
• Ideale per i moduli di alimentazione automobilistici che soddisfano le esigenze AEC‐Q101
• Utilizzato per la commutazione sul lato primario in SMPS e inverter
• Può essere utilizzato per le fasi a mezzo ponte dell'azionamento del motore in sistemi elettrificati
• Adatto per assemblaggi elettronici robusti che richiedono il montaggio superficiale

Quale formato di montaggio utilizza per assemblaggi compatti?

Viene fornito in un formato PowerPAK 8x8 progettato per il montaggio superficiale per facilitare layout di circuito stampato densi e accoppiamento termico a versamenti di rame.

Come si comporta a temperature estreme?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, pertanto può funzionare in scenari ambientali impegnativi e a giunzione rialzata se raffreddato in modo appropriato.

Quali vincoli del gate-drive devono essere osservati?

Il dispositivo non deve essere azionato oltre una tensione gate-sorgente di 30 V e la carica gate tipica è di 33 nC, che indica la corrente di azionamento di picco e la selezione del driver.

È adatto ai requisiti di qualificazione automobilistica?

Il dispositivo soddisfa lo standard automobilistico AEC‐Q101, il che lo rende adatto per progetti elettronici di livello veicolare che richiedono tale qualifica.