MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.09 Ω Depletion, 26 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SiHH105N60EF-T1GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

5,94 €

(IVA esclusa)

7,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1494 unità in spedizione dal 28 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 95,94 €
10 - 495,59 €
50 - 995,05 €
100 - 2494,75 €
250 +4,45 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8632
Codice costruttore:
SiHH105N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.09Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

174W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Vishay EF è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa capacità effettiva

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.