MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.09 Ω Depletion, 26 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SiHH105N60EF-T1GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8632
Codice costruttore:
SiHH105N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.09Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Dissipazione di potenza massima Pd

174W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Vishay EF è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa capacità effettiva

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

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