MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.061 Ω Depletion, 33 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie
- Codice RS:
- 252-0266
- Codice costruttore:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 252-0266
- Codice costruttore:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.061Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 192W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 72nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.061Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 192W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72nC | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 33 A - SIHK075N60EF-T1GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per ambienti di elettronica di potenza e automobilistici impegnativi. Funziona come transistor a canale N in modalità di esaurimento adatto per applicazioni ad alta tensione, offrendo un equilibrio tra capacità di corrente e resistenza termica per i sistemi di controllo industriale e elettronici dei veicoli.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 33 A supporta correnti di carico sostanziali • La bassa Rds(on) di 0,061 Ω riduce le perdite di conduzione • La dissipazione di potenza di 192 W consente una gestione della potenza elevata • La carica di gate tipica di 72 nC consente una dimensionamento prevedibile del gate drive • La tensione massima gate-source di 20 V consente di gestire intervalli di azionamento robusti
Applicazioni
• Adatto per gli inverter e le fasi di azionamento del motore nei sistemi di automazione • Ideale per convertitori CC-CC ad alta tensione nei veicoli elettrificati • Utilizzato per interruttori primari negli alimentatori per apparecchiature industriali • Può essere utilizzato per l'elettronica di potenza dei veicoli di trazione e ausiliari
A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo l'uso in ampie condizioni ambientali e termiche tipiche degli impianti automobilistici e industriali.
Quale tipo di contenitore i progettisti devono considerare sulla scheda?
Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 10x12 a 8 pin, pertanto è necessario applicare il layout del tampone termico e i profili di saldatura per questo contenitore.
Quali vincoli del gate drive devono essere osservati per una commutazione affidabile?
La tensione massima gate-sorgente è di 20 V
i driver del gate devono essere progettati per rimanere entro questo limite fornendo al contempo uno slide sufficiente per gestire la carica del gate di 72 nC.
Esistono approvazioni o standard ambientali per questo dispositivo?
È conforme ai requisiti RoHS e aderisce allo standard automobilistico AEC-Q101 per la qualifica dei componenti.
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