MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.061 Ω Depletion, 33 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0266
Codice costruttore:
SIHK075N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

EF

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.061Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

192W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72nC

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione drain source 650 V, dissipazione di potenza 192 W - SIHK075N60EF-T1GE3


Questo MOSFET di potenza è un semiconduttore a canale N ad alta tensione progettato per ambienti di commutazione e controllo della potenza impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un pacchetto a basso profilo per montaggio superficiale adatto per assemblaggi compatti. Il dispositivo è progettato per applicazioni che richiedono una notevole gestione continua della corrente e una robusta capacità di tensione in spazi ristretti.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source 650 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 33 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.061 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione massima di 192 W consente una gestione ad alta potenza
• La carica gate tipica di 72 nC fornisce un comportamento di commutazione prevedibile
• La qualifica AEC‐Q101 supporta lo stress termico di livello automobilistico

Applicazioni


• Adatto per l'elettronica di trazione e di potenza per veicoli ad alta tensione
• Ideale per topologie di commutazione a mezzo ponte e a ponte intero
• Utilizzato con driver gate isolati in inverter industriali
• Può essere utilizzato per alimentatori di commutazione fino ad alta tensione
• Adatto per le fasi di azionamento del motore nei sistemi automobilistici

Quale gamma termica può resistere in ambienti difficili?


È progettato per funzionare da -55 °C a +150 °C, consentendo l'uso in avviamenti a bassa temperatura e condizioni operative elevate.

Quale formato di contenitore utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?


Il dispositivo è fornito in un contenitore PowerPAK 10x12 a montaggio superficiale progettato per un trasferimento di calore efficiente e un posizionamento compatto della scheda.

In che modo il limite di tensione del gate influisce sulla progettazione dell'azionamento?


La tensione massima gate-sorgente è di 20 V, pertanto i driver gate devono essere specificati per rimanere entro questo limite per evitare la sovratensione del gate.

È adatto per assemblaggi con restrizioni RoHS?


Il componente è conforme ai requisiti RoHS, consentendo l'inclusione in gruppi che impongono l'adesione a sostanze soggette a restrizioni.

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