MOSFET Vishay, canale Tipo P, 1.1 Ω, 3.8 A 200 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SI7119DN-T1-GE3
- Codice RS:
- 180-7307
- Codice costruttore:
- SI7119DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,318 € | 954,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7307
- Codice costruttore:
- SI7119DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.1Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 52W | |
| Minima temperatura operativa | 50°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21 | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Altezza | 1.07mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.1Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 52W | ||
Minima temperatura operativa 50°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21 | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Altezza 1.07mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET PowerPAK-1212-8 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 200V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 1050mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 52W e corrente di drain continua di 3,8 A. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. È dotato di applicazioni nel morsetto attivo in alimentatori c.c./c.c. intermedi. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Senza alogeni
Contenitore powerpak a bassa resistenza termica • con dimensioni ridotte e basso profilo di 1,07 mm
• di potenza di dissipazione massima 52W
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -50 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg testato
• UIS testato
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