MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 12.5 mΩ Miglioramento, 45.1 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SIS126DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5134
Codice costruttore:
SIS126DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiS126DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.15 mm

Altezza

1.07mm

Lunghezza

3.15mm

Distrelec Product Id

304-32-534

Standard automobilistico

No

MOSFET a 80 V (D-S) a canale N.

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