MOSFET Vishay, canale N 40 V, 7.4 mΩ Miglioramento, 65 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SI7116BDN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2825
Codice costruttore:
SI7116BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

750μm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale N TrenchFET Vishay è utilizzato per l'interruttore lato primario c.c./c.c., telecomunicazioni/server, controllo dell'azionamento per motori e rettifica sincrona.

Qg e Qoss molto bassi riducono la perdita di potenza e.

migliorare l'efficienza

I rapporti Qg, Qgd e Qgd/Qgs ottimizzati riducono

la perdita di potenza relativa alla commutazione

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