MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 7.4 mΩ Miglioramento, 65 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SI7116BDN-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

9,18 €

(IVA esclusa)

11,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,918 €9,18 €
100 - 2400,874 €8,74 €
250 - 4900,691 €6,91 €
500 - 9900,643 €6,43 €
1000 +0,551 €5,51 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2825
Codice costruttore:
SI7116BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.75mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale N TrenchFET Vishay è utilizzato per l'interruttore lato primario c.c./c.c., telecomunicazioni/server, controllo dell'azionamento per motori e rettifica sincrona.

Qg e Qoss molto bassi riducono la perdita di potenza e.

migliorare l'efficienza

I rapporti Qg, Qgd e Qgd/Qgs ottimizzati riducono

la perdita di potenza relativa alla commutazione

Link consigliati