MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.0034 Ω, 116 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR582DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-5387
Codice costruttore:
SiR582DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

116A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0034Ω

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

92.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5.15 mm

Il MOSFET di potenza a canale N TrenchFET Vishay ha una corrente di drenaggio di 116 A. Viene utilizzato in rettifica sincrona, interruttore lato primario, convertitore c.c./c.c. e interruttore di azionamento motore.

Figure-of-merit RDS x Qg (FOM) molto bassa

Sintonizzato per il più basso RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

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