MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.01 Ω Depletion, 63.7 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR516DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8651
Codice costruttore:
SiR516DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

63.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Larghezza

5.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 100 V. Questo MOSFET viene utilizzato per l'alimentazione, il controllo dell'azionamento dei motori e la rettifica sincrona.

Testato UIS

resistenza molto bassa

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