MOSFET Vishay, canale N 60 V, 0.01 Ω Depletion, 84.8 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR514DP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

15,51 €

(IVA esclusa)

18,92 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6050 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 453,102 €15,51 €
50 - 1202,916 €14,58 €
125 - 2452,636 €13,18 €
250 - 4952,482 €12,41 €
500 +2,328 €11,64 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8649
Codice costruttore:
SiR514DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

84.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 100 V. Questo MOSFET viene utilizzato per l'alimentazione, il controllo dell'azionamento dei motori e la rettifica sincrona.

Testato UIS

resistenza molto bassa

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.