Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.0044 Ω 60 V, 80.3 A Miglioramento, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin SiR186LDP-T1-RE3

Codice RS:: 228-2896
Codice costruttore:: SiR186LDP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.0044 Ω 60 V, 80.3 A Miglioramento, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin SiR186LDP-T1-RE3

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Codice RS:: 228-2896
Codice costruttore:: SiR186LDP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

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Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	80.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0044Ω
	Modalità canale	Miglioramento

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 80.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0044Ω
	Modalità canale Miglioramento

Datasheet - SiR186LDP-T1-RE3

Il TrenchFET a canale N Vishay è un MOSFET a 60 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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