MOSFET Vishay, canale N, 0,0044 Ω, 80,3 A, PowerPak SO-8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 228-2897
- Codice costruttore:
- SiR186LDP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 228-2897
- Codice costruttore:
- SiR186LDP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 80,3 A | |
| Tensione massima drain source | 60 V | |
| Tipo di package | PowerPak SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima drain source | 0,0044 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 2.5V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Numero di elementi per chip | 2 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 80,3 A | ||
Tensione massima drain source 60 V | ||
Tipo di package PowerPak SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima drain source 0,0044 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 2.5V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Numero di elementi per chip 2 | ||
Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 60 V.
Testato al 100% Rg e UIS