MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 6.1 mΩ Miglioramento, 81 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR104LDP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7222
Codice costruttore:
SiR104LDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiR104LDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.26mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 100 V (D-S) è dotato di una RDS molto bassa x Qg figura di merito (FOM). È sintonizzato per la minima RDS x Qoss FOM.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Testato al 100% Rg e UIS

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