MOSFET Vishay, canale N, 0,0012 Ω, 204 A, PowerPak SO-8DC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 210-4957
Codice costruttore:: SiDR626LDP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,0012 Ω, 204 A, PowerPak SO-8DC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 210-4957
Codice costruttore:: SiDR626LDP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SiDR626LDP-T1-RE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	204 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	PowerPak SO-8DC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0012 Ω
Tensione di soglia gate massima	1 → 2.5V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,0012 Ω, 204 A, PowerPak SO-8DC, Montaggio superficiale

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