MOSFET Vishay, canale N 60 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 204 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiDR626LDP-T1-RE3

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Codice RS:
210-4956
Codice costruttore:
SiDR626LDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

204A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SiDR626LDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.9mm

Lunghezza

5.9mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

510μm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 60 V (D-S) è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8DC.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

La funzione di raffreddamento del lato superiore fornisce un'ulteriore sede per trasferimento termico

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