MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.0125 Ω Miglioramento, 47.6 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR5110DP-T1-RE3
- Codice RS:
- 279-9943
- Codice costruttore:
- SIR5110DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
2388,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,796 € | 2.388,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 279-9943
- Codice costruttore:
- SIR5110DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 47.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0125Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 59.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 47.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0125Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 59.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.
MOSFET di potenza TrenchFET
Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)
RDS molto basso x Qg cifra di merito
Testato al 100% Rg e UIS