MOSFET Vishay, canale Doppio canale N 60 V, 0.032 Ω Miglioramento, 7.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI9945CDY-T1-GE3

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Codice RS:
736-345
Codice costruttore:
SI9945CDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Doppio canale N

Massima corrente di scarico continua Id

7.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SI9945CDY

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione. È ideale per varie applicazioni, tra cui interruttori di carico e circuiti inverter per TV LCD.

La tecnologia TrenchFET garantisce perdite di commutazione ridotte

I rapporti Qg, Qgd e Qgs ottimizzati migliorano le prestazioni

Il 100% di test per Rg e UIS garantisce l'affidabilità

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