MOSFET Vishay, canale P, 25,7 A, SO-8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 256-7360
- Codice costruttore:
- SI4101DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
0,314 €
(IVA esclusa)
0,383 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 2500 + | 0,314 € | 785,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 256-7360
- Codice costruttore:
- SI4101DY-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il mosfet a canale P da 30 V (D-S) 25,7 A (Tc) 6 W (Tc) Vishay Semiconductor è dotato di montaggio superficiale con contenitore 8-SOIC e le sue applicazioni sono: interruttore adattatore, interruttore di carico, gestione dell'alimentazione, computer portatili e batterie portatili.
MOSFET di potenza TrenchFET
Testato al 100% Rg e UIS
Montaggio superficiale su 1 x 1 scheda FR4
Testato al 100% Rg e UIS
Montaggio superficiale su 1 x 1 scheda FR4
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 25,7 A |
| Tensione massima drain source | 30 V |
| Tipo di package | SO-8 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
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