MOSFET onsemi, canale Tipo P 30 V, 1.4 mΩ P, 263 A, 8 Pin, SO-8, Superficie NTMFS002P03P8ZT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6465
Codice costruttore:
NTMFS002P03P8ZT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

263A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

NTK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

P

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

217nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

-1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

138.9W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.3mm

Larghezza

1.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N on Semiconductor è dotato di resistenza ultra bassa in stato attivo. È dotato di 226 A di corrente di drain. Viene utilizzato nell'interruttore di alimentazione e nella gestione della batteria.

Migliorare l'efficienza del sistema

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Eccellente conduzione termica

Senza piombo

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