MOSFET onsemi, canale N 120 V, 20 mΩ P, 79 A, 8 Pin, SO-8, Superficie NTMFS008N12MCT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6467
Codice costruttore:
NTMFS008N12MCT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

79A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

SO-8

Serie

NTMF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

P

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

102W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.3mm

Lunghezza

6.3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Il contenitore con cavo piatto MOSFET di potenza a canale N on Semiconductor è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Viene utilizzato per alimentatori switching, interruttori di alimentazione, gestione della batteria e protezione.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Ridurre al minimo le perdite di driver

Conformità RoHS

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