MOSFET onsemi, canale P, 120 mΩ, 3,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 162-9612
Codice costruttore:: NTR2101PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 120 mΩ, 3,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,09 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,09 €	270,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 162-9612
Codice costruttore:: NTR2101PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,7 A
Tensione massima drain source	8 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	120 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	960 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.01mm

MOSFET onsemi, canale P, 120 mΩ, 3,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P, 8 V, ON Semiconductor

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