MOSFET onsemi, canale P, 300 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1811
Codice costruttore:: NDS332P
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 300 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,137 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,137 €	411,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1811
Codice costruttore:: NDS332P
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Lunghezza	2.92mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	3,7 nC a 4,5 V
Altezza	0.94mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 300 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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