MOSFET Microchip, canale Tipo P 60 V Miglioramento, 3 Pin, SOT-23, Superficie TP0610T-G

Il MOSFET Microchip è un transistor a bassa soglia, in modalità enhancement, che utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo produttivo con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristica di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è esente da runaway termico e da breakdown secondario indotto termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desiderano una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di breakdown, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione.

Soglia bassa