MOSFET Microchip, canale Tipo P 100 V, 12 Ω Miglioramento, -120 mA, 3 Pin, SOT-23, Foro passante VP2110K1-G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-8951
Codice costruttore:
VP2110K1-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-120mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23

Serie

VP2110

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.36W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Larghezza

1.3 mm

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale P Microchip a bassa soglia, in modalità di potenziamento (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.

Esente da guasti secondari

Requisiti di azionamento a bassa potenza

Facilità di collegamento in parallelo

Bassa CISS e velocità di commutazione elevate

Eccellente stabilità termica

Diodo sorgente-drenaggio integrato

Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno

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