MOSFET onsemi, canale Tipo P 8 V, 120 mΩ Miglioramento, 3.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie NTR2101PT1G

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 50 unità*

11,70 €

(IVA esclusa)

14,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Pochi pezzi in magazzino
  • 50 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 2600 unità in spedizione dal 06 gennaio 2026
Le nostre scorte attuali sono limitate e i nostri fornitori prevedono difficoltà di approvvigionamento.
Unità
Per unità
Per Nastro*
50 - 500,234 €11,70 €
100 - 2000,10 €5,00 €
250 - 4500,096 €4,80 €
500 - 9500,092 €4,60 €
1000 +0,088 €4,40 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
790-5274
Codice costruttore:
NTR2101PT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

8V

Serie

NTR2101P

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

960mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1.01mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale P, 8 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati