MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 180 mΩ Miglioramento, 1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

360,00 €

(IVA esclusa)

450,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 20 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,12 €360,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
162-9239
Codice costruttore:
NVR1P02T1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.01mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati