MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 180 mΩ Miglioramento, 1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

270,00 €

(IVA esclusa)

330,00 €

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*prezzo indicativo

Codice RS:
163-2689
Codice costruttore:
NTR1P02T1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.94mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.9mm

Larghezza

1.3 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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