MOSFET Microchip, canale Tipo N 60 V, 5 Ω Miglioramento, 280 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie TN2106K1-G
- Codice RS:
- 177-9842
- Codice costruttore:
- TN2106K1-G
- Costruttore:
- Microchip
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 177-9842
- Codice costruttore:
- TN2106K1-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 280mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | TN2106 | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 360mW | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 280mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie TN2106 | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 360mW | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.02mm | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo transistor (normalmente inattivo) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.
Privi di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Basso CISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno