MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 280 mΩ Miglioramento, 1.18 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
827-0134
Codice costruttore:
BSS215PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

OptiMOS P

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.9mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™


I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.

Modalità potenziata

Classificazione Avalanche

Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione

Placcatura senza piombo; conformità Rohs

Contenitori standard

Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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