MOSFET Infineon, canale N 30 V, 280 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS316NH6327XTSA1
- Codice RS:
- 145-8833
- Codice costruttore:
- BSS316NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
246,00 €
(IVA esclusa)
300,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,082 € | 246,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,078 € | 234,00 € |
| 15000 + | 0,073 € | 219,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-8833
- Codice costruttore:
- BSS316NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 280mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 900μm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 280mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 900μm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS serie 2, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,4 A - BSS316NH6327XTSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 30 V supporta i comuni sistemi a bassa tensione
• La capacità di corrente continua di 1,4 A gestisce carichi moderati
• La carica gate tipica di 0,6 nC consente transizioni di commutazione rapide
• La dissipazione di potenza massima di 500 mW si adatta a budget termici ridotti
• La qualifica AEC-Q101 fornisce criteri di affidabilità di livello automobilistico
Applicazioni
• Ideale per la conversione del punto di carico nell'elettronica compatta
• Utilizzato con sistemi alimentati a batteria che richiedono un fattore di forma ridotto
• Può essere utilizzato per il controllo del gate dell'azionamento del motore in attuatori di piccole dimensioni
• Adatto per la gestione dell'alimentazione su schede densamente popolate
Quale intervallo termico può resistere durante il funzionamento?
Quanti collegamenti elettrici presenta alla scheda?
Quale tensione massima deve essere applicata tra il gate e la sorgente?
Quali considerazioni sull'altezza e l'ingombro del pacchetto influenzano il layout?
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