MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 280 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS316NH6327XTSA1

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Codice RS:
145-8833
Codice costruttore:
BSS316NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

OptiMOS 2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™2


La famiglia a canale N OptiMOS™2 di Infineon offre la più bassa resistenza in stato attivo del settore all'interno del proprio gruppo di tensione. La serie di MOSFET di potenza può essere utilizzata in molte applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, la trasmissione dati ad alta frequenza, solare, unità a bassa tensione e alimentatori server. La famiglia di prodotti OptiMOS 2 parte da 20 V e offre una selezione di diversi tipi di contenitori.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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