MOSFET onsemi, canale N, 160 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 169-8539
Codice costruttore:: NDS351AN
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 160 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 169-8539
Codice costruttore:: NDS351AN
Costruttore:: onsemi

Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3- SuperSOT
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,2 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	160 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	2.92mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,3 nC a 4,5 V
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	0.94mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 160 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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